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露笑科技百亿项目首笔投资仅3.6亿 关键技术缺失

露笑科技(002617.SZ)是铁了心要跟第三代半导体材料碳化硅SIC捆在一起。这一次是直接坐实了100亿的项目。

不过细究起来,这100亿的项目第一笔投资只有3.6亿,而后续投资的追加,这3.6亿的表现十分关键。且这3.6亿元也没有明确一定或者全部由露笑科技出资。

有业内人士向时代财经记者指出,说白了,如果各方面都顺利,72个月内投入100亿有可能得以实施,而一旦有某个环节表现不佳,则百亿项目仅仅也就是地方政府的“招商引资”了,“先引进来再说”。

此外,露笑科技在碳化硅衬底片制造方面的多项关键技术尚未研发成功,目前技术水平连完成10亿元的定增项目都不能完全满足。

从设备研发到百亿项目仅两年

9月15日晚,露笑科技公告正式与安徽长丰双凤经济开发区管理委员会签署了《长丰县招商引资项目投资合作协议》。

公司将与长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园,主要建设国际领先的第三代功率半导体(碳化硅)的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目总投资 100 亿元,其中一期投资 21 亿元,项目一期建成达产后,可形成年产 24 万片导电型碳化硅衬底片和 5 万片外延片的生产能力。

此前的8月8日,露笑科技刚与长丰县签署了共建上述产业园的《战略合作框架协议》。从战略合作到实际的落地,仅仅过了一个月的时间,露笑科技在碳化硅上的发力十分紧凑。

而动辄百亿元的投资规模也较好地提振了露笑科技的股价。8月10日,周一露笑科技以涨停开盘。在9月初的第三代半导体概念热炒中,露笑科技收获了4个涨停,其中3个一字板,一个月内股价由6元窜升至10元一线。9月16日,露笑科技再次强势涨停。

更早前的4月10日,露笑科技发布公告,拟定向增发不超过 4.53亿股,募集不超过 10亿元,用于“新建碳化硅衬底片产业化项目”、“碳化硅研发中心项目”和“偿还银行贷款”项目。项目完成后,公司将形成年产 8.8 万片6 英寸和4 英寸碳化硅衬底片的生产能力。

这是露笑科技首次明确触及碳化硅产品的具体制造。之前只是涉及到碳化硅晶体炉的制造和销售。

根据露笑科技方面透露,2018 年下半开始,公司抽调内蒙古蓝宝石公司的设备研发人员组建碳化硅晶体炉制造攻关小组,开始碳化硅晶体生长炉原型机的研发,2019年 7 月,生长炉研制成功。

同年8 月 5 日和 11 月 27 日,露笑科技公告与中科钢研、国宏中宇签订碳化硅长晶炉销售合同,合同金额分别为 1.26 亿元和 3亿元。

2019 年 8 月,露笑科技组建碳化硅晶体生长研发团队,在自研设备的基础上,开发碳化硅晶体生长的研究。

从去年8月的研究碳化硅晶体的生长,到今年4月份定增10亿元开展碳化硅衬底片产业化项目,再到8月份的百亿元的碳化硅设备制造——长晶生产——衬底加工——外延制作等近乎全产业链的研发和生产基地意向,和本次的意向落地,开始实施,露笑科技的碳化硅之路步步紧逼,节奏飞快。

尚不具项目完全技术实力

从露笑科技的动作来看,似乎第三代半导体材料碳化硅产业化,毫无技术含量,可以在短短两年的时间内速成。

露笑科技在其定增预案中提及,目前全球碳化硅超过80%供应由美国科锐公司(Cree Company)掌控,该公司于 1980 年代便开始投入研发及产业化。相较于国内,上海硅酸盐研究所为最早投入研发的机构,但对于产业化及产业技术打通、器件应用部份,仍相较国外弱许多。显然,露笑科技也承认,碳化硅相关技术的积累和突破没有那么容易。

但是,9月9日露笑科技在回复交易所的问询函时强调,公司依托蓝宝石晶体生长设备制造、晶体生长和衬底片加工成熟的设计、制造、加工和管理经验,转型碳化硅晶体生产,具有较大的先天优势。并且公司在资金、市场和技术方面已具备了进入碳化硅材料领域的条件,实施第三代半导体(碳化硅)产业园建设是可行的。

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公司公告

然而,除了碳化硅长晶炉设备制造外,露笑科技只有导电型碳化硅衬底制备技术研发成功投入生产,半绝缘型碳化硅衬底制备技术和大尺寸导电型碳化硅衬底制备技术均还处于研发阶段。其技术覆盖在碳化硅的产业链“设备——长晶——衬底——外延——器件”中,第三步尚约1/4处。

值得注意的是,露笑科技定增拟投入6.5亿元的碳化硅衬底片产业化项目,生产产品为 6 英寸 4-HN型碳化硅衬底片、4 英寸 4-H 半绝缘型碳化硅衬底片,也即目前露笑科技的技术能力,连定增项目的要求都不能完全满足。

或者说,如果露笑科技半绝缘型碳化硅衬底制备技术,无法在两年的建设期内研发成功,则公司定增的主打项目的生产线,将无法生产4 英寸 4-H 半绝缘型碳化硅衬底片。

同样的,如果露笑科技的大尺寸导电型碳化硅衬底制备技术无法在一年内研发成功,则100亿项目中第二期、第三期的年产 10 万片 8 英寸衬底片、年产 10 万片 8 英寸外延片和年产 15 万片 8 英寸衬底片的建设,将无法及时跟进。

一个有意思的细节是,在100亿项目中,露笑科技尚未完成技术研发的“半绝缘型碳化硅衬底片”,没有在三期项目中被单独提及,一期项目主要为24万片6英寸导电型碳化硅衬底片生产线和6 英寸外延片中试线建设,二三期中则完全没有区分衬底片的性质。

此举是否意味着,露笑科技自身也没有信心在项目推进的时点上,完成半绝缘型碳化硅衬底制备技术的研发?

在问询函回复公告中,露笑科技提及,“公司已在浙江省诸暨市完成 6 英寸碳化硅试生产线,已经开始投产”。那么,该生产线是否与10亿定增项目有关?生产线的成品率、良品率怎样?公司的技术研发是否有进展?

对于以上关键问题,时代财经记者多次致电露笑科技,但截止发稿前未获得回应。

可进可退的百亿碳化硅项目

实际上,除了技术实力不足,露笑科技在100亿项目的设定中,也留有很大的可操作空间。

从露笑科技9月15日和9月9日的公告中,可以梳理出100亿项目的具体落实细节:

露笑科技将采用自有资金与合肥市长丰县共同出资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园;其中,露笑科技承诺与相关投资方在双凤经开区内注册成立一家独立核算的法人公司(以下简称“新公司”),新公司在长丰县办理工商注册登记、银行开户以及纳税、统计等,新公司注册资本不低于 3.6 亿元;

长丰县人民政府为项目提供优惠政策、资金(包括但不限于股权、债权投资)支持,包括但不限于与协议内容相关的长丰县人民政府指定的国有公司或国有控股平台公司为项目提供资金支持。

露笑科技负责项目的投资建设,包括项目建设方案设计、工程建设、资金投入、技术研发、投后管理及生产经营服务等工作。

项目总投资 100 亿元,分三期建设完成。露笑科技在用地等各项手续和相关条件齐备后 12 个月内完成一期项目建设并实现投产;60 个月内完成二、三期项目设和固定资产投资并实现投产,72 个月内实现达产。

100 亿元总投资中一期投资 21 亿元,一期固定资产投资 16亿元(一期首次投资 3.6 亿元,其中固定资产投资 3 亿元)。

露笑科技计划 2020 年 9 月底前开始项目土地购置、厂房建设及设备订购,2020年年底前完成基础设施建设及长晶设备安装调试后开始试生产。一期投资中,计划新购土地 100 亩,建设厂房 8 万平米,固定资产投资 18 亿元,流动资金 3 亿元。

有业内人士向时代财经记者指出,“从这里可以看出,协议中的100亿项目,实际第一笔投入只有3.6亿元(上述新公司注册资本也为3.6亿元),用于土地厂房建设,并不排除从露笑科技处采购设备试生产,进而完成一期建设”。而所需资金,必要的时候将由长丰县人民政府及相关国资平台提供支持。

实际上,露笑科技4月份的10亿定增预案中,有3亿元用于偿还银行贷款。截至 2019 年 9 月 30 日,公司合并口径资产负债率为 64.35%,借款余额为 23.61亿元,其中长期借款余额为10.61亿元,偿债压力较大。

这意味着,仅靠露笑科技,很难支撑得起100亿项目投入所需的资金。当然,也许后续资金并不需要多少。

公告中,露笑科技强调,第二期、第三期将在第一期项目基础上根据市场情况追加投资。“若因项目一期建设进度、生产技术、内部管理水平、市场变化等因素导致投资项目未能达到预期收益,将会影响后续项目的进一步投资与建设”。

前述业内人士向时代财经记者解释,“这就是说,包含第一笔3.6亿元投资的一期项目一旦在诸多方面中有一方低于预期,后续的数十亿元的投资将可以不用或暂缓追加。”届时,整个项目的总投入无论是达到100亿还是相差甚远,都是合情合理的,因为已经提前提示了风险和可能性。

露笑科技在问询函回复公告中还提及,“项目投资规模主要是根据第三代功率半导体(碳化硅)产能配套性,以及同行业投入产出水平进行估算,具体细节还在论证和编制中”,也即,100亿项目规模后续不排除调整的可能。

然而,不管100亿碳化硅项目最终能落实多少投资,都是长丰县招商引资的成功,露笑科技的股价连续涨停也是实打实的发生了。

而真正的碳化硅项目盈利或对露笑科技的业绩贡献呢?

光大证券分析师刘凯表示,预计2020-2022 年露笑科技碳化硅业务的收入主要由碳化硅长晶炉销售贡献,在暂时不考虑合肥合资公司碳化硅衬底收入贡献的情况下,“我们预计公司碳化硅业务 2020-2022 年营业收入分别为 1.25、2.75、4.00 亿元”。

2017-19年,露笑科技实现营业收入分别为32.45亿元、30.20亿元和24.52亿元。今年上半年营业收入11.45亿元,归母净利润1.51亿元。

广州私募界人士向时代财经记者指出,“显然,在两年内,碳化硅业务并不能对露笑科技的业绩作出有效的支撑”。

另据光大证券分析师刘凯透露,特斯拉在 MODEL 3 上使用 24 个 SiC MOSFET 模块作为主驱逆变器的核心部件替代 IGBT,SiC MOSFET 使逆变器效率从 Model S 的 82%提升到Model 3 的90%。除了逆变器效率提升,SiC MOSFET 使器件体积缩小到原来的 1/10,承载功率是硅基器件的 80 倍,另外关断能力和可靠性也得到大幅提升。

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